Recommonended For You
Les images sont à titre indicatif uniquement
Ajouter aux favoris

STMicroelectronics STGB19NC60KDT4


Fabricant
Référence Fabricant
STGB19NC60KDT4
Référence EBEE
E8314017
Boîtier
D2PAK
Numéro Client
Fiche Technique
Modèles EDA
ECCN
EAR99
Description
125W 35A 600V D2PAK IGBT Transistors / Modules ROHS
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
En savoir plus >>
1196 En stock pour livraison rapide
1196 disponible pour livraison immédiate
Peut être expédié en 1-2 jours ouvrables
Unité de vente : PieceSac complet : 200
Qté.Prix unitairePrix total
1+$0.6669$ 0.6669
10+$0.5367$ 5.3670
30+$0.4716$ 14.1480
100+$0.4065$ 40.6500
500+$0.3684$ 184.2000
1000+$0.3478$ 347.8000
Meilleur prix pour plus de quantité ?
$
TypeDescription
Tout sélectionner
CatégorieTransistors/Thyistors ,Transistors/modules IGBT
Fiche TechniqueSTMicroelectronics STGB19NC60KDT4
RoHS
Température de fonctionnement-55℃~+150℃@(Tj)
Tension de la rupture collector-émetteur (Vces)600V
Tension seuil séduite par les porte-à-l'environnement (Vge(ème)-Ic)2.75V@15V,12A
Pd - Power Dissipation125W
IGBT Type-
Gate Charge(Qg)55nC
Td(off)105ns
Td(on)30ns
Reverse Transfer Capacitance (Cres)28pF
Reverse Recovery Time(trr)31ns
Switching Energy(Eoff)255uJ
Turn-On Energy (Eon)165uJ
Input Capacitance(Cies)1.17nF
Pulsed Current- Forward(Ifm)50A
Output Capacitance(Coes)127pF

Guide d’achat

Développer