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STMicroelectronics STF8NM50N
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STF8NM50N |
| Référence EBEE | E85456239 |
| Boîtier | TO-220FP |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 500V 5A 0.79Ω@10V,2.5A 20W 4V@250uA 1 N-channel TO-220FP MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
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|---|---|---|
| 1+ | $1.2062 | $ 1.2062 |
| 10+ | $0.9928 | $ 9.9280 |
| 50+ | $0.8753 | $ 43.7650 |
| 100+ | $0.7438 | $ 74.3800 |
| 500+ | $0.6851 | $ 342.5500 |
| 1000+ | $0.6588 | $ 658.8000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | ST STF8NM50N | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 790mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 1.2pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 20W | |
| Drain to Source Voltage | 500V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 5A | |
| Ciss-Input Capacitance | 364pF | |
| Gate Charge(Qg) | 14nC@400V |
Guide d’achat
Développer
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| 10+ | $0.9928 | $ 9.9280 |
| 50+ | $0.8753 | $ 43.7650 |
| 100+ | $0.7438 | $ 74.3800 |
| 500+ | $0.6851 | $ 342.5500 |
| 1000+ | $0.6588 | $ 658.8000 |
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