| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STF8N60DM2 |
| Référence EBEE | E8500993 |
| Boîtier | TO-220FP |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 600V 8A 550mΩ@10V,4A 25W 4V@250uA 1 N-channel TO-220FP MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.4484 | $ 1.4484 |
| 10+ | $1.2514 | $ 12.5140 |
| 50+ | $1.1449 | $ 57.2450 |
| 100+ | $1.0225 | $ 102.2500 |
| 500+ | $0.9692 | $ 484.6000 |
| 1000+ | $0.9444 | $ 944.4000 |
| 2000+ | $0.9337 | $ 1867.4000 |
| 4000+ | $0.9284 | $ 3713.6000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | ST STF8N60DM2 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | 1 N-channel | |
| Configuration | - | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 600V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 8A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 550mΩ@10V,4A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 25W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 4V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 0.89pF@100V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 449pF@100V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 13.5nC@10V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.4484 | $ 1.4484 |
| 10+ | $1.2514 | $ 12.5140 |
| 50+ | $1.1449 | $ 57.2450 |
| 100+ | $1.0225 | $ 102.2500 |
| 500+ | $0.9692 | $ 484.6000 |
| 1000+ | $0.9444 | $ 944.4000 |
| 2000+ | $0.9337 | $ 1867.4000 |
| 4000+ | $0.9284 | $ 3713.6000 |
