Recommonended For You
Les images sont à titre indicatif uniquement
Ajouter aux favoris
STMicroelectronics STF33N60DM6
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STF33N60DM6 |
| Référence EBEE | E8500984 |
| Boîtier | TO-220FP |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 600V 25A 115mΩ@10V,12.5A 35W 3.25V@250uA 1 N-channel TO-220FP MOSFETs ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
En savoir plus >>En stock : Veuillez vous renseigner
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $2.2986 | $ 2.2986 |
| 10+ | $2.2508 | $ 22.5080 |
| 30+ | $2.2188 | $ 66.5640 |
| 100+ | $2.1886 | $ 218.8600 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | ST STF33N60DM6 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 600V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 25A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 115mΩ@10V,12.5A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 35W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 3.25V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 3pF | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 1.5nF@100V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 35nC@480V |
Guide d’achat
Développer
En stock : Veuillez vous renseigner
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $2.2986 | $ 2.2986 |
| 10+ | $2.2508 | $ 22.5080 |
| 30+ | $2.2188 | $ 66.5640 |
| 100+ | $2.1886 | $ 218.8600 |
