| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STF28N60M2 |
| Référence EBEE | E82917582 |
| Boîtier | TO-220F-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 650V 22A 0.15Ω@10V,11A 30W 3V@250uA TO-220F-3 MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $3.1717 | $ 3.1717 |
| 10+ | $2.7577 | $ 27.5770 |
| 50+ | $2.5000 | $ 125.0000 |
| 100+ | $2.2349 | $ 223.4900 |
| 500+ | $2.1151 | $ 1057.5500 |
| 1000+ | $2.0643 | $ 2064.3000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | ST STF28N60M2 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 650V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 22A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 0.15Ω@10V,11A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 30W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 3V@250uA | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 1.44nF@100V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 36nC@480V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $3.1717 | $ 3.1717 |
| 10+ | $2.7577 | $ 27.5770 |
| 50+ | $2.5000 | $ 125.0000 |
| 100+ | $2.2349 | $ 223.4900 |
| 500+ | $2.1151 | $ 1057.5500 |
| 1000+ | $2.0643 | $ 2064.3000 |
