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STMicroelectronics STF26N65DM2
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STF26N65DM2 |
| Référence EBEE | E8500980 |
| Boîtier | TO-220FP |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 650V 20A 0.19Ω@10V,10A 30W 4V@250uA 1 N-channel TO-220FP MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.9419 | $ 1.9419 |
| 10+ | $1.9011 | $ 19.0110 |
| 30+ | $1.8745 | $ 56.2350 |
| 100+ | $1.8478 | $ 184.7800 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | ST STF26N65DM2 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 650V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 20A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 0.19Ω@10V,10A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 30W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 4V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 2pF@100V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 1.48nF@100V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | - |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.9419 | $ 1.9419 |
| 10+ | $1.9011 | $ 19.0110 |
| 30+ | $1.8745 | $ 56.2350 |
| 100+ | $1.8478 | $ 184.7800 |
