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STMicroelectronics STF18N65M2
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STF18N65M2 |
| Référence EBEE | E8155552 |
| Boîtier | TO-220FP |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 650V 12A 0.33Ω@10V,6A 25W 4V@250uA 1 N-channel TO-220F-3 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.6778 | $ 0.6778 |
| 10+ | $0.6623 | $ 6.6230 |
| 50+ | $0.6515 | $ 32.5750 |
| 100+ | $0.6392 | $ 63.9200 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | ST STF18N65M2 | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 330mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 1.2pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 25W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 12A | |
| Ciss-Input Capacitance | 770pF | |
| Gate Charge(Qg) | 20nC@520V |
Guide d’achat
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.6778 | $ 0.6778 |
| 10+ | $0.6623 | $ 6.6230 |
| 50+ | $0.6515 | $ 32.5750 |
| 100+ | $0.6392 | $ 63.9200 |
