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STMicroelectronics STF18N60DM2
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STF18N60DM2 |
| Référence EBEE | E85268682 |
| Boîtier | TO-220FP |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 600V 12A 0.295Ω@10V,6A 25W 4V@250uA 1 N-channel TO-220FP MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $3.0292 | $ 3.0292 |
| 10+ | $2.5793 | $ 25.7930 |
| 50+ | $2.3133 | $ 115.6650 |
| 100+ | $2.0427 | $ 204.2700 |
| 500+ | $1.9175 | $ 958.7500 |
| 1000+ | $1.8618 | $ 1861.8000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | ST STF18N60DM2 | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 295mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 1.33pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 25W | |
| Drain to Source Voltage | 600V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 12A | |
| Ciss-Input Capacitance | 800pF | |
| Gate Charge(Qg) | 20nC@480V |
Guide d’achat
Développer
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| 10+ | $2.5793 | $ 25.7930 |
| 50+ | $2.3133 | $ 115.6650 |
| 100+ | $2.0427 | $ 204.2700 |
| 500+ | $1.9175 | $ 958.7500 |
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