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STMicroelectronics STF16N65M2
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STF16N65M2 |
| Référence EBEE | E8726248 |
| Boîtier | TO-220FP |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 650V 11A 360mΩ@10V,5.5A 25W 4V@250uA 1 N-channel TO-220FP MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3156 | $ 1.3156 |
| 10+ | $1.1180 | $ 11.1800 |
| 50+ | $1.0094 | $ 50.4700 |
| 100+ | $0.8872 | $ 88.7200 |
| 500+ | $0.8328 | $ 416.4000 |
| 1000+ | $0.8072 | $ 807.2000 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | ST STF16N65M2 | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 360mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | - | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 25W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 11A | |
| Ciss-Input Capacitance | 718pF | |
| Gate Charge(Qg) | 19.5nC@10V |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3156 | $ 1.3156 |
| 10+ | $1.1180 | $ 11.1800 |
| 50+ | $1.0094 | $ 50.4700 |
| 100+ | $0.8872 | $ 88.7200 |
| 500+ | $0.8328 | $ 416.4000 |
| 1000+ | $0.8072 | $ 807.2000 |
