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STMicroelectronics STF16N60M6
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STF16N60M6 |
| Référence EBEE | E8155608 |
| Boîtier | TO-220FPAB-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 600V 12A 0.32Ω@10V,6A 25W 4.75V@250uA 1 N-channel TO-220FPAB-3 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $4.4178 | $ 4.4178 |
| 10+ | $3.8106 | $ 38.1060 |
| 50+ | $3.4497 | $ 172.4850 |
| 100+ | $3.0841 | $ 308.4100 |
| 500+ | $2.9153 | $ 1457.6500 |
| 1000+ | $2.8394 | $ 2839.4000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | ST STF16N60M6 | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 320mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 3pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 25W | |
| Drain to Source Voltage | 600V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.75V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 12A | |
| Ciss-Input Capacitance | 575pF | |
| Gate Charge(Qg) | 16.7nC@10V |
Guide d’achat
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| 50+ | $3.4497 | $ 172.4850 |
| 100+ | $3.0841 | $ 308.4100 |
| 500+ | $2.9153 | $ 1457.6500 |
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