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STMicroelectronics STF11NM65N
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STF11NM65N |
| Référence EBEE | E8500970 |
| Boîtier | TO-220FP |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 650V 11A 0.455Ω@10V,5.5A 110W 4V@250uA 1 N-channel TO-220FP MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3491 | $ 1.3491 |
| 10+ | $1.1502 | $ 11.5020 |
| 50+ | $1.0402 | $ 52.0100 |
| 100+ | $0.9177 | $ 91.7700 |
| 500+ | $0.8627 | $ 431.3500 |
| 1000+ | $0.8379 | $ 837.9000 |
| 2000+ | $0.8272 | $ 1654.4000 |
| 4000+ | $0.8219 | $ 3287.6000 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | ST STF11NM65N | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 650V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 11A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 0.455Ω@10V,5.5A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 110W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 4V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 2.9pF@50V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 800pF@50V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 29nC@520V |
Guide d’achat
Développer
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3491 | $ 1.3491 |
| 10+ | $1.1502 | $ 11.5020 |
| 50+ | $1.0402 | $ 52.0100 |
| 100+ | $0.9177 | $ 91.7700 |
| 500+ | $0.8627 | $ 431.3500 |
| 1000+ | $0.8379 | $ 837.9000 |
| 2000+ | $0.8272 | $ 1654.4000 |
| 4000+ | $0.8219 | $ 3287.6000 |
