| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STF11N50M2 |
| Référence EBEE | E8500967 |
| Boîtier | TO-220FP |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 500V 8A 450mΩ@10V,4A 25W 4V@250uA 1 N-channel TO-220FP MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5734 | $ 0.5734 |
| 10+ | $0.5610 | $ 5.6100 |
| 30+ | $0.5538 | $ 16.6140 |
| 100+ | $0.5450 | $ 54.5000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | ST STF11N50M2 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 500V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 8A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 450mΩ@10V,4A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 25W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 4V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 1pF@100V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 395pF@100V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | - |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5734 | $ 0.5734 |
| 10+ | $0.5610 | $ 5.6100 |
| 30+ | $0.5538 | $ 16.6140 |
| 100+ | $0.5450 | $ 54.5000 |
