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STMicroelectronics STF10N65K3
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STF10N65K3 |
| Référence EBEE | E8165615 |
| Boîtier | TO-220FP |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 650V 10A 35W 0.75Ω@10V,3.6A 4.5V@100uA 1 N-channel TO-220FP MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $4.3020 | $ 4.3020 |
| 10+ | $3.7746 | $ 37.7460 |
| 30+ | $3.4623 | $ 103.8690 |
| 100+ | $3.1462 | $ 314.6200 |
| 500+ | $2.9999 | $ 1499.9500 |
| 1000+ | $2.9331 | $ 2933.1000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | ST STF10N65K3 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 650V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 10A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 0.75Ω@10V,3.6A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 35W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 4.5V@100uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 14pF@25V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 1.18nF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 42nC@520V |
Guide d’achat
Développer
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $4.3020 | $ 4.3020 |
| 10+ | $3.7746 | $ 37.7460 |
| 30+ | $3.4623 | $ 103.8690 |
| 100+ | $3.1462 | $ 314.6200 |
| 500+ | $2.9999 | $ 1499.9500 |
| 1000+ | $2.9331 | $ 2933.1000 |
