| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STE53NC50 |
| Référence EBEE | E85762295 |
| Boîtier | - |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 500V 53A 460W 80mΩ@10V,27A 3V@250uA 1 N-channel MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $93.0617 | $ 93.0617 |
| 200+ | $37.1330 | $ 7426.6000 |
| 500+ | $35.8918 | $ 17945.9000 |
| 1000+ | $35.2786 | $ 35278.6000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | ST STE53NC50 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 500V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 53A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 80mΩ@10V,27A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 460W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 3V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 115pF@25V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 11.2nF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 434nC@10V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $93.0617 | $ 93.0617 |
| 200+ | $37.1330 | $ 7426.6000 |
| 500+ | $35.8918 | $ 17945.9000 |
| 1000+ | $35.2786 | $ 35278.6000 |
