| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STE40NC60 |
| Référence EBEE | E83278319 |
| Boîtier | ISOTOP |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 600V 40A 460W 0.098Ω@10V,20A 3V@250uA 1 N-channel ISOTOP MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $49.3963 | $ 49.3963 |
| 200+ | $19.1159 | $ 3823.1800 |
| 500+ | $18.4451 | $ 9222.5500 |
| 1000+ | $18.1133 | $ 18113.3000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | ST STE40NC60 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 600V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 40A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 0.098Ω@10V,20A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 460W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 3V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 100pF@25V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 11.1nF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 430nC@10V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $49.3963 | $ 49.3963 |
| 200+ | $19.1159 | $ 3823.1800 |
| 500+ | $18.4451 | $ 9222.5500 |
| 1000+ | $18.1133 | $ 18113.3000 |
