| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STD95N4LF3 |
| Référence EBEE | E82971352 |
| Boîtier | DPAK |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 40V 80A 6mΩ@10V,40A 110W 2.5V@250uA 1 N-channel DPAK MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.7041 | $ 1.7041 |
| 10+ | $1.6623 | $ 16.6230 |
| 30+ | $1.6360 | $ 49.0800 |
| 100+ | $1.6082 | $ 160.8200 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | ST STD95N4LF3 | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 9mΩ@5V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 50pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 110W | |
| Drain to Source Voltage | 40V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 80A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.5nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 560pF | |
| Gate Charge(Qg) | 70nC@10V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.7041 | $ 1.7041 |
| 10+ | $1.6623 | $ 16.6230 |
| 30+ | $1.6360 | $ 49.0800 |
| 100+ | $1.6082 | $ 160.8200 |
