| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STD86N3LH5 |
| Référence EBEE | E8472529 |
| Boîtier | TO-252 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 30V 80A 0.005Ω@10V,40A 70W 1.8V@250uA 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.6296 | $ 1.6296 |
| 10+ | $1.4040 | $ 14.0400 |
| 30+ | $1.2816 | $ 38.4480 |
| 100+ | $1.1431 | $ 114.3100 |
| 500+ | $1.0810 | $ 540.5000 |
| 1000+ | $1.0526 | $ 1052.6000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | ST STD86N3LH5 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -40℃~+175℃ | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 30V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 80A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 0.005Ω@10V,40A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 70W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 1.8V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 58pF | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 1.85nF | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 14nC |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.6296 | $ 1.6296 |
| 10+ | $1.4040 | $ 14.0400 |
| 30+ | $1.2816 | $ 38.4480 |
| 100+ | $1.1431 | $ 114.3100 |
| 500+ | $1.0810 | $ 540.5000 |
| 1000+ | $1.0526 | $ 1052.6000 |
