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STMicroelectronics STD80N6F6
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STD80N6F6 |
| Référence EBEE | E85269559 |
| Boîtier | DPAK |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 60V 80A 4.4mΩ@10V,40A 120W 3V@250uA DPAK MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $3.0899 | $ 3.0899 |
| 200+ | $1.1961 | $ 239.2200 |
| 500+ | $1.1547 | $ 577.3500 |
| 1000+ | $1.1331 | $ 1133.1000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | ST STD80N6F6 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃ | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 60V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 80A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 4.4mΩ@10V,40A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 120W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 3V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 400pF@25V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 8325pF@25V |
Guide d’achat
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $3.0899 | $ 3.0899 |
| 200+ | $1.1961 | $ 239.2200 |
| 500+ | $1.1547 | $ 577.3500 |
| 1000+ | $1.1331 | $ 1133.1000 |
