| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STD7N90K5 |
| Référence EBEE | E82970455 |
| Boîtier | DPAK |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 900V 7A 0.72Ω@10V,3.5A 6W 4V@100uA 1 N-channel DPAK MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $2.5508 | $ 2.5508 |
| 200+ | $0.9883 | $ 197.6600 |
| 500+ | $0.9536 | $ 476.8000 |
| 1000+ | $0.9354 | $ 935.4000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | ST STD7N90K5 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 900V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 7A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 0.72Ω@10V,3.5A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 6W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 4V@100uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 1.2pF@100V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 425pF@100V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 12nC@10V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $2.5508 | $ 2.5508 |
| 200+ | $0.9883 | $ 197.6600 |
| 500+ | $0.9536 | $ 476.8000 |
| 1000+ | $0.9354 | $ 935.4000 |
