| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STD60NF55LAT4 |
| Référence EBEE | E82971177 |
| Boîtier | TO-252(DPAK) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 55V 60A 110W 0.012Ω@10V,30A 2V@250uA 1 N-channel TO-252(DPAK) MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.5695 | $ 1.5695 |
| 10+ | $1.5334 | $ 15.3340 |
| 30+ | $1.5100 | $ 45.3000 |
| 100+ | $1.4865 | $ 148.6500 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | ST STD60NF55LAT4 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃ | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 55V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 60A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 0.012Ω@10V,30A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 110W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 2V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 130pF@25V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 1.95nF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 56nC@40V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.5695 | $ 1.5695 |
| 10+ | $1.5334 | $ 15.3340 |
| 30+ | $1.5100 | $ 45.3000 |
| 100+ | $1.4865 | $ 148.6500 |
