| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STD4NK80Z-1 |
| Référence EBEE | E8457496 |
| Boîtier | TO-251 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 800V 3A 3.5Ω@10V,1.5A 25W 3V@50uA 1 N-channel TO-251 MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $2.1833 | $ 2.1833 |
| 10+ | $1.9322 | $ 19.3220 |
| 30+ | $1.7751 | $ 53.2530 |
| 75+ | $1.6145 | $ 121.0875 |
| 525+ | $1.5422 | $ 809.6550 |
| 975+ | $1.5097 | $ 1471.9575 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | ST STD4NK80Z-1 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 800V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 3A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 3.5Ω@10V,1.5A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 25W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 3V@50uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 13pF@25V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 575pF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 22.5nC@10V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $2.1833 | $ 2.1833 |
| 10+ | $1.9322 | $ 19.3220 |
| 30+ | $1.7751 | $ 53.2530 |
| 75+ | $1.6145 | $ 121.0875 |
| 525+ | $1.5422 | $ 809.6550 |
| 975+ | $1.5097 | $ 1471.9575 |
