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STMicroelectronics STD45N10F7
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STD45N10F7 |
| Référence EBEE | E8118269 |
| Boîtier | TO-252-2(DPAK) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 100V 45A 60W 18mΩ@10V,22.5A 4.5V@250uA 1 N-channel TO-252-2(DPAK) MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $4.4628 | $ 4.4628 |
| 10+ | $3.9391 | $ 39.3910 |
| 30+ | $3.6284 | $ 108.8520 |
| 100+ | $3.3123 | $ 331.2300 |
| 500+ | $3.1679 | $ 1583.9500 |
| 1000+ | $3.1028 | $ 3102.8000 |
| 2500+ | $3.0667 | $ 7666.7500 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | ST STD45N10F7 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 100V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 45A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 18mΩ@10V,22.5A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 60W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 4.5V@250uA | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 1.64nF@50V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 25nC@10V |
Guide d’achat
Développer
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $4.4628 | $ 4.4628 |
| 10+ | $3.9391 | $ 39.3910 |
| 30+ | $3.6284 | $ 108.8520 |
| 100+ | $3.3123 | $ 331.2300 |
| 500+ | $3.1679 | $ 1583.9500 |
| 1000+ | $3.1028 | $ 3102.8000 |
| 2500+ | $3.0667 | $ 7666.7500 |
