| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STD1NK60T4 |
| Référence EBEE | E8361030 |
| Boîtier | DPAK |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 600V 1A 30W 8.5Ω@10V,0.5A 3V@250uA 1 N-channel DPAK MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.4756 | $ 1.4756 |
| 10+ | $1.2716 | $ 12.7160 |
| 30+ | $1.1614 | $ 34.8420 |
| 100+ | $1.0349 | $ 103.4900 |
| 500+ | $0.9789 | $ 489.4500 |
| 1000+ | $0.9537 | $ 953.7000 |
| 2500+ | $0.9428 | $ 2357.0000 |
| 5000+ | $0.9374 | $ 4687.0000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | ST STD1NK60T4 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 600V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 1A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 8.5Ω@10V,0.5A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 30W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 3V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 3.8pF@25V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 156pF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 7nC@480V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.4756 | $ 1.4756 |
| 10+ | $1.2716 | $ 12.7160 |
| 30+ | $1.1614 | $ 34.8420 |
| 100+ | $1.0349 | $ 103.4900 |
| 500+ | $0.9789 | $ 489.4500 |
| 1000+ | $0.9537 | $ 953.7000 |
| 2500+ | $0.9428 | $ 2357.0000 |
| 5000+ | $0.9374 | $ 4687.0000 |
