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STMicroelectronics STD18NF25
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STD18NF25 |
| Référence EBEE | E8183634 |
| Boîtier | TO-252 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 250V 17A 110W 0.14Ω@10V,8.5A 2V@250uA 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $4.5224 | $ 4.5224 |
| 10+ | $3.9680 | $ 39.6800 |
| 30+ | $3.6393 | $ 109.1790 |
| 100+ | $3.3051 | $ 330.5100 |
| 500+ | $3.1516 | $ 1575.8000 |
| 1000+ | $3.0830 | $ 3083.0000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | ST STD18NF25 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃ | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 250V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 17A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 0.14Ω@10V,8.5A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 110W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 2V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 28pF | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 1nF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 29.3nC@200V |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $4.5224 | $ 4.5224 |
| 10+ | $3.9680 | $ 39.6800 |
| 30+ | $3.6393 | $ 109.1790 |
| 100+ | $3.3051 | $ 330.5100 |
| 500+ | $3.1516 | $ 1575.8000 |
| 1000+ | $3.0830 | $ 3083.0000 |
