| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STD18N55M5 |
| Référence EBEE | E8183258 |
| Boîtier | TO-252-2(DPAK) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 550V 16A 110W 192mΩ@10V,8A 5V@250uA 1 N-channel TO-252-2(DPAK) MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $3.8394 | $ 3.8394 |
| 10+ | $3.4045 | $ 34.0450 |
| 30+ | $3.1454 | $ 94.3620 |
| 100+ | $2.8844 | $ 288.4400 |
| 500+ | $2.7637 | $ 1381.8500 |
| 1000+ | $2.7104 | $ 2710.4000 |
| 2500+ | $2.6803 | $ 6700.7500 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | ST STD18N55M5 | |
| RoHS | ||
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 550V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 16A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 192mΩ@10V,8A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 110W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 5V@250uA | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 1.26nF@100V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 31nC@10V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $3.8394 | $ 3.8394 |
| 10+ | $3.4045 | $ 34.0450 |
| 30+ | $3.1454 | $ 94.3620 |
| 100+ | $2.8844 | $ 288.4400 |
| 500+ | $2.7637 | $ 1381.8500 |
| 1000+ | $2.7104 | $ 2710.4000 |
| 2500+ | $2.6803 | $ 6700.7500 |
