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STMicroelectronics STD13N65M2
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STD13N65M2 |
| Référence EBEE | E82970253 |
| Boîtier | DPAK |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 650V 10A 430mΩ@10V,5A 110W 4V@250uA 1 N-channel DPAK MOSFETs ROHS |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | ST STD13N65M2 | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 430mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 1.1pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 110W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 10A | |
| Ciss-Input Capacitance | 590pF | |
| Gate Charge(Qg) | 17nC@10V |
Guide d’achat
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