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STMicroelectronics STD12N65M2
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STD12N65M2 |
| Référence EBEE | E8500948 |
| Boîtier | DPAK |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 650V 8A 0.5Ω@10V,4A 85W 2V@250uA 1 N-channel DPAK MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3944 | $ 1.3944 |
| 10+ | $1.3618 | $ 13.6180 |
| 30+ | $1.3401 | $ 40.2030 |
| 100+ | $1.3185 | $ 131.8500 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | ST STD12N65M2 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 650V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 8A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 0.5Ω@10V,4A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 85W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 2V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 1.1pF@100V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 535pF@100V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 16.5nC@10V |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3944 | $ 1.3944 |
| 10+ | $1.3618 | $ 13.6180 |
| 30+ | $1.3401 | $ 40.2030 |
| 100+ | $1.3185 | $ 131.8500 |
