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STMicroelectronics STD12N60M6
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STD12N60M6 |
| Référence EBEE | E85268757 |
| Boîtier | DPAK |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 600V 9A 450mΩ@10V,4.5A 96W 4V@250uA DPAK MOSFETs ROHS |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | ST STD12N60M6 | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 450mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 4.5pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 96W | |
| Drain to Source Voltage | 600V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 9A | |
| Ciss-Input Capacitance | 452pF | |
| Gate Charge(Qg) | 12.3nC@480V |
Guide d’achat
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