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STMicroelectronics STD12N60DM2AG
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STD12N60DM2AG |
| Référence EBEE | E8495234 |
| Boîtier | TO-252 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 650V 10A 430mΩ@10V,5A 110W 3V@250uA 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $2.1797 | $ 2.1797 |
| 10+ | $1.8869 | $ 18.8690 |
| 30+ | $1.7041 | $ 51.1230 |
| 100+ | $1.5159 | $ 151.5900 |
| 500+ | $1.4307 | $ 715.3500 |
| 1000+ | $1.3952 | $ 1395.2000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | ST STD12N60DM2AG | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 650V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 10A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 430mΩ@10V,5A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 110W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 3V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 3.7pF@100V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 614pF@100V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | - |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $2.1797 | $ 2.1797 |
| 10+ | $1.8869 | $ 18.8690 |
| 30+ | $1.7041 | $ 51.1230 |
| 100+ | $1.5159 | $ 151.5900 |
| 500+ | $1.4307 | $ 715.3500 |
| 1000+ | $1.3952 | $ 1395.2000 |
