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STMicroelectronics STD11N60M6
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STD11N60M6 |
| Référence EBEE | E85268761 |
| Boîtier | DPAK |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 600V 8A 520mΩ 90W DPAK MOSFETs ROHS |
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|---|---|---|
| 1+ | $1.8030 | $ 1.8030 |
| 10+ | $1.7628 | $ 17.6280 |
| 30+ | $1.7365 | $ 52.0950 |
| 100+ | $1.5201 | $ 152.0100 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | ST STD11N60M6 | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 500mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 4pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 90W | |
| Drain to Source Voltage | 600V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 8A | |
| Ciss-Input Capacitance | 387pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 35pF | |
| Gate Charge(Qg) | 10.3nC@10V |
Guide d’achat
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| 10+ | $1.7628 | $ 17.6280 |
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