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STMicroelectronics STD10NM60N
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STD10NM60N |
| Référence EBEE | E842088 |
| Boîtier | TO-252(DPAK) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 650V 10A 0.55Ω@10V,4A 70W 2V@250uA 1 N-channel TO-252-2(DPAK) MOSFETs ROHS |
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|---|---|---|
| 1+ | $0.9837 | $ 0.9837 |
| 10+ | $0.7882 | $ 7.8820 |
| 30+ | $0.6905 | $ 20.7150 |
| 100+ | $0.5928 | $ 59.2800 |
| 500+ | $0.5351 | $ 267.5500 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | ST STD10NM60N | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 550mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 1.2pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 70W | |
| Drain to Source Voltage | 600V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 10A | |
| Ciss-Input Capacitance | 540pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 44pF | |
| Gate Charge(Qg) | 19nC@10V |
Guide d’achat
Développer
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| 10+ | $0.7882 | $ 7.8820 |
| 30+ | $0.6905 | $ 20.7150 |
| 100+ | $0.5928 | $ 59.2800 |
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