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STMicroelectronics STD105N10F7AG
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STD105N10F7AG |
| Référence EBEE | E82969853 |
| Boîtier | DPAK |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 100V 80A 120W 6.8mΩ@10V,40A 2.5V@250uA 1 N-channel DPAK MOSFETs ROHS |
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| 10+ | $2.5521 | $ 25.5210 |
| 30+ | $2.2673 | $ 68.0190 |
| 100+ | $1.9763 | $ 197.6300 |
| 500+ | $1.8449 | $ 922.4500 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | ST STD105N10F7AG | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 8mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 36pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 120W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 80A | |
| Ciss-Input Capacitance | 4.369nF | |
| Gate Charge(Qg) | - |
Guide d’achat
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