| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STB75NF20 |
| Référence EBEE | E82970286 |
| Boîtier | D2PAK |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 200V 75A 34mΩ@10V,37A 190W 4V@250uA 1 N-channel D2PAK MOSFETs ROHS |
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $3.4516 | $ 3.4516 |
| 10+ | $3.3635 | $ 33.6350 |
| 30+ | $3.3048 | $ 99.1440 |
| 100+ | $3.2461 | $ 324.6100 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | ST STB75NF20 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -50℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 200V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 75A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 34mΩ@10V,37A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 190W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 4V@250uA | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 3.26nF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 84nC@10V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $3.4516 | $ 3.4516 |
| 10+ | $3.3635 | $ 33.6350 |
| 30+ | $3.3048 | $ 99.1440 |
| 100+ | $3.2461 | $ 324.6100 |
