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STMicroelectronics STB57N65M5
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STB57N65M5 |
| Référence EBEE | E8472526 |
| Boîtier | D2PAK |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 650V 42A 63mΩ@10V,21A 250W 5V@250uA 1 N-channel D2PAK MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $11.2286 | $ 11.2286 |
| 10+ | $10.9961 | $ 109.9610 |
| 30+ | $10.8399 | $ 325.1970 |
| 100+ | $10.6855 | $ 1068.5500 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | ST STB57N65M5 | |
| RoHS | ||
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 650V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 42A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 63mΩ@10V,21A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 250W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 5V@250uA | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 4.2nF@100V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 98nC@10V |
Guide d’achat
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $11.2286 | $ 11.2286 |
| 10+ | $10.9961 | $ 109.9610 |
| 30+ | $10.8399 | $ 325.1970 |
| 100+ | $10.6855 | $ 1068.5500 |
