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STMicroelectronics STB55NF06T4
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STB55NF06T4 |
| Référence EBEE | E8472532 |
| Boîtier | D2PAK |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 60V 50A 18mΩ@10V,27.5A 110W 4V@250uA 1 N-Channel D2PAK MOSFETs ROHS |
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| 1+ | $0.8152 | $ 0.8152 |
| 10+ | $0.6816 | $ 6.8160 |
| 30+ | $0.6086 | $ 18.2580 |
| 100+ | $0.5258 | $ 52.5800 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | STMicroelectronics STB55NF06T4 | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 18mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃ | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 110W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 50A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.3nF | |
| Gate Charge(Qg) | 60nC@10V |
Guide d’achat
Développer
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| 100+ | $0.5258 | $ 52.5800 |
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