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STMicroelectronics STB47N60DM6AG
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STB47N60DM6AG |
| Référence EBEE | E82970428 |
| Boîtier | D2PAK(TO-263) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 600V 250W 80mΩ@10V,18A 1 N-channel D2PAK MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $10.7810 | $ 10.7810 |
| 10+ | $9.3524 | $ 93.5240 |
| 30+ | $8.4830 | $ 254.4900 |
| 100+ | $7.7538 | $ 775.3800 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | ST STB47N60DM6AG | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 80mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 2pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 250W | |
| Drain to Source Voltage | 600V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.75V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 36A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.35nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 160pF | |
| Gate Charge(Qg) | 55nC@10V |
Guide d’achat
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| 1+ | $10.7810 | $ 10.7810 |
| 10+ | $9.3524 | $ 93.5240 |
| 30+ | $8.4830 | $ 254.4900 |
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