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STMicroelectronics STB45N65M5
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STB45N65M5 |
| Référence EBEE | E8500944 |
| Boîtier | D2PAK |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 650V 35A 0.078Ω@10V,17.5A 210W 3V@250uA 1 N-channel D2PAK MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
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| 1+ | $7.9906 | $ 7.9906 |
| 10+ | $7.7946 | $ 77.9460 |
| 30+ | $7.6649 | $ 229.9470 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | ST STB45N65M5 | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 78mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 7pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 210W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 35A | |
| Ciss-Input Capacitance | 3.47nF | |
| Gate Charge(Qg) | 82nC@10V |
Guide d’achat
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