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STMicroelectronics STB42N65M5
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STB42N65M5 |
| Référence EBEE | E83277503 |
| Boîtier | D2PAK |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 650V 33A 190W 70mΩ@10V,16.5A 3V@250uA 1 N-channel D2PAK MOSFETs ROHS |
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| 10+ | $17.9711 | $ 179.7110 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | ST STB42N65M5 | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 79mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 3.2pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 190W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 33A | |
| Ciss-Input Capacitance | 4.65nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 110pF | |
| Gate Charge(Qg) | 98nC@520V |
Guide d’achat
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