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STMicroelectronics STB40N60M2
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STB40N60M2 |
| Référence EBEE | E83288186 |
| Boîtier | D2PAK(TO-263) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 650V 34A 0.078Ω@10V,17A 250W 2V@250uA 1 N-channel D2PAK(TO-263) MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $5.1198 | $ 5.1198 |
| 10+ | $4.9940 | $ 49.9400 |
| 30+ | $4.9101 | $ 147.3030 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | ST STB40N60M2 | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 88mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 2.4pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 250W | |
| Drain to Source Voltage | 600V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 34A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.5nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 117pF | |
| Gate Charge(Qg) | 57nC@10V |
Guide d’achat
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| 1+ | $5.1198 | $ 5.1198 |
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