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STMicroelectronics STB33N60DM6
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STB33N60DM6 |
| Référence EBEE | E83277533 |
| Boîtier | D2PAK(TO-263) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 600V 25A 128mΩ@10V,12.5A 190W 4.75V@250uA 1 N-channel D2PAK(TO-263) MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $4.4982 | $ 4.4982 |
| 200+ | $1.7408 | $ 348.1600 |
| 500+ | $1.6804 | $ 840.2000 |
| 1000+ | $1.6503 | $ 1650.3000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | ST STB33N60DM6 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 600V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 25A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 128mΩ@10V,12.5A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 190W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 4.75V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 3pF | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 1.5nF@100V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 35nC |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $4.4982 | $ 4.4982 |
| 200+ | $1.7408 | $ 348.1600 |
| 500+ | $1.6804 | $ 840.2000 |
| 1000+ | $1.6503 | $ 1650.3000 |
