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STMicroelectronics STB32NM50N
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STB32NM50N |
| Référence EBEE | E82971411 |
| Boîtier | D2PK |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 500V 22A 0.13Ω@10V,11A 190W 4V@250uA 1 N-channel D2PK MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $5.2613 | $ 5.2613 |
| 10+ | $4.5869 | $ 45.8690 |
| 30+ | $4.1859 | $ 125.5770 |
| 100+ | $3.7813 | $ 378.1300 |
| 500+ | $3.5950 | $ 1797.5000 |
| 1000+ | $3.5098 | $ 3509.8000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | ST STB32NM50N | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 500V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 22A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 0.13Ω@10V,11A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 190W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 4V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 9.7pF@500V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 1973pF@500V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 62.5nC |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $5.2613 | $ 5.2613 |
| 10+ | $4.5869 | $ 45.8690 |
| 30+ | $4.1859 | $ 125.5770 |
| 100+ | $3.7813 | $ 378.1300 |
| 500+ | $3.5950 | $ 1797.5000 |
| 1000+ | $3.5098 | $ 3509.8000 |
