| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STB30NF20 |
| Référence EBEE | E8221448 |
| Boîtier | TO-263-2 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 200V 30A 75mΩ@10V,15A 125W 4V@250uA 1 N-channel TO-263-2 MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $2.6359 | $ 2.6359 |
| 10+ | $2.3058 | $ 23.0580 |
| 30+ | $2.0999 | $ 62.9970 |
| 100+ | $1.8886 | $ 188.8600 |
| 500+ | $1.7929 | $ 896.4500 |
| 1000+ | $1.7520 | $ 1752.0000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | ST STB30NF20 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 200V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 30A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 75mΩ@10V,15A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 125W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 4V@250uA | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 1.597nF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 38nC@10V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $2.6359 | $ 2.6359 |
| 10+ | $2.3058 | $ 23.0580 |
| 30+ | $2.0999 | $ 62.9970 |
| 100+ | $1.8886 | $ 188.8600 |
| 500+ | $1.7929 | $ 896.4500 |
| 1000+ | $1.7520 | $ 1752.0000 |
