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STMicroelectronics STB30NF10T4
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STB30NF10T4 |
| Référence EBEE | E8140377 |
| Boîtier | TO-263-2 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 100V 35A 45mΩ@10V,15A 115W 4V@250uA 1 N-channel TO-263-2 MOSFETs ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.1307 | $ 1.1307 |
| 10+ | $0.9532 | $ 9.5320 |
| 30+ | $0.8645 | $ 25.9350 |
| 100+ | $0.7775 | $ 77.7500 |
| 500+ | $0.7243 | $ 362.1500 |
| 1000+ | $0.6976 | $ 697.6000 |
| 2000+ | $0.6906 | $ 1381.2000 |
| 4000+ | $0.6852 | $ 2740.8000 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | ST STB30NF10T4 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 100V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 35A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 45mΩ@10V,15A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 115W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 4V@250uA | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 1.18nF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 55nC@10V |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.1307 | $ 1.1307 |
| 10+ | $0.9532 | $ 9.5320 |
| 30+ | $0.8645 | $ 25.9350 |
| 100+ | $0.7775 | $ 77.7500 |
| 500+ | $0.7243 | $ 362.1500 |
| 1000+ | $0.6976 | $ 697.6000 |
| 2000+ | $0.6906 | $ 1381.2000 |
| 4000+ | $0.6852 | $ 2740.8000 |
