Recommonended For You
Les images sont à titre indicatif uniquement
Ajouter aux favoris
STMicroelectronics STB30N65DM6AG
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STB30N65DM6AG |
| Référence EBEE | E83288192 |
| Boîtier | D2PAK(TO-263) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 650V 28A 115mΩ@10V,10A 223W 4.75V@250uA 1 N-channel D2PAK(TO-263) MOSFETs ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
En savoir plus >>En stock : Veuillez vous renseigner
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $4.7796 | $ 4.7796 |
| 10+ | $4.6619 | $ 46.6190 |
| 30+ | $4.5819 | $ 137.4570 |
| 100+ | $4.5020 | $ 450.2000 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | ST STB30N65DM6AG | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 115mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 1.5pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 223W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.75V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 28A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2nF | |
| Gate Charge(Qg) | 46nC@10V |
Guide d’achat
Développer
En stock : Veuillez vous renseigner
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $4.7796 | $ 4.7796 |
| 10+ | $4.6619 | $ 46.6190 |
| 30+ | $4.5819 | $ 137.4570 |
| 100+ | $4.5020 | $ 450.2000 |
