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STMicroelectronics STB18NF25
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STB18NF25 |
| Référence EBEE | E8155570 |
| Boîtier | TO-263-2 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 250V 17A 110W 165mΩ@10V,8.5A 4V@250uA 1 N-channel TO-263-2 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $2.0875 | $ 2.0875 |
| 10+ | $1.8265 | $ 18.2650 |
| 30+ | $1.6632 | $ 49.8960 |
| 100+ | $1.4964 | $ 149.6400 |
| 500+ | $1.4200 | $ 710.0000 |
| 1000+ | $1.3881 | $ 1388.1000 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | ST STB18NF25 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 250V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 17A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 165mΩ@10V,8.5A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 110W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 4V@250uA | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 1nF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 29.5nC@10V |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $2.0875 | $ 2.0875 |
| 10+ | $1.8265 | $ 18.2650 |
| 30+ | $1.6632 | $ 49.8960 |
| 100+ | $1.4964 | $ 149.6400 |
| 500+ | $1.4200 | $ 710.0000 |
| 1000+ | $1.3881 | $ 1388.1000 |
