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STMicroelectronics STB18N60DM2


Fabricant
Référence Fabricant
STB18N60DM2
Référence EBEE
E82965480
Boîtier
D2PAK
Numéro Client
Fiche Technique
Modèles EDA
ECCN
EAR99
Description
600V 12A 0.295Ω@10V,6A 110W 4V@250uA 1 N-channel D2PAK MOSFETs ROHS
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
Qté.Prix unitairePrix total
1+$5.7044$ 5.7044
10+$4.9201$ 49.2010
30+$4.4535$ 133.6050
100+$3.9823$ 398.2300
500+$3.7653$ 1882.6500
1000+$3.6676$ 3667.6000
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TypeDescription
Tout sélectionner
CatégorieDiscrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs
Fiche TechniqueST STB18N60DM2
RoHS
TypeN-Channel
RDS (on)295mΩ@10V
Température de fonctionnement-55℃~+150℃
Capacité de transfert inversé (Crss-Vds)1.33pF
Number1 N-channel
Pd - Power Dissipation110W
Drain to Source Voltage600V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))5V
Current - Continuous Drain(Id)12A
Ciss-Input Capacitance800pF
Output Capacitance(Coss)40pF
Gate Charge(Qg)20nC@10V

Guide d’achat

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