Recommonended For You
Les images sont à titre indicatif uniquement
Ajouter aux favoris
STMicroelectronics STB160N75F3
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STB160N75F3 |
| Référence EBEE | E8457514 |
| Boîtier | D2PAK |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 75V 120A 330W 3.7mΩ@10V,60A 4V@250uA 1 N-channel D2PAK MOSFETs ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
En savoir plus >>En stock : Veuillez vous renseigner
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $12.7374 | $ 12.7374 |
| 10+ | $12.3557 | $ 123.5570 |
| 14+ | $11.8464 | $ 165.8496 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | ST STB160N75F3 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃ | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 75V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 120A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 3.7mΩ@10V,60A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 330W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 4V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 40pF@25V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 6.75nF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | [email protected] |
Guide d’achat
Développer
En stock : Veuillez vous renseigner
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $12.7374 | $ 12.7374 |
| 10+ | $12.3557 | $ 123.5570 |
| 14+ | $11.8464 | $ 165.8496 |
