| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STB120N4F6 |
| Référence EBEE | E82970287 |
| Boîtier | D2PAK |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 40V 80A 4V@250uA 1 N-channel D2PAK MOSFETs ROHS |
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $3.9475 | $ 3.9475 |
| 200+ | $1.5280 | $ 305.6000 |
| 500+ | $1.4751 | $ 737.5500 |
| 1000+ | $1.4477 | $ 1447.7000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | ST STB120N4F6 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Type | 1 N-channel | |
| Configuration | - | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 40V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 80A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | - | |
| Dissipation de puissance (Pd) | - | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 4V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 350pF@25V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 3.85nF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 65nC@10V |
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $3.9475 | $ 3.9475 |
| 200+ | $1.5280 | $ 305.6000 |
| 500+ | $1.4751 | $ 737.5500 |
| 1000+ | $1.4477 | $ 1447.7000 |
