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STMicroelectronics STB10LN80K5
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STB10LN80K5 |
| Référence EBEE | E8457512 |
| Boîtier | D2PAK |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 800V 8A 630mΩ@10V,4A 110W 3V@100uA 1 N-channel D2PAK MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $13.7313 | $ 13.7313 |
| 10+ | $13.3675 | $ 133.6750 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | ST STB10LN80K5 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 800V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 8A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 630mΩ@10V,4A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 110W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 3V@100uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 0.25pF | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 427pF@100V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 15nC@640V |
Guide d’achat
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $13.7313 | $ 13.7313 |
| 10+ | $13.3675 | $ 133.6750 |
