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STMicroelectronics STB100N6F7
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STB100N6F7 |
| Référence EBEE | E8165928 |
| Boîtier | TO-263-2 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 60V 100A 5.6mΩ@10V,50A 125W 4V@250uA 1 N-channel TO-263-2 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $2.1443 | $ 2.1443 |
| 10+ | $1.8851 | $ 18.8510 |
| 30+ | $1.7236 | $ 51.7080 |
| 100+ | $1.5568 | $ 155.6800 |
| 500+ | $1.4821 | $ 741.0500 |
| 1000+ | $1.4503 | $ 1450.3000 |
| 2000+ | $1.4343 | $ 2868.6000 |
| 4000+ | $1.4236 | $ 5694.4000 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | ST STB100N6F7 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 60V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 100A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 5.6mΩ@10V,50A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 125W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 4V@250uA | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 1.98nF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 30nC@10V |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $2.1443 | $ 2.1443 |
| 10+ | $1.8851 | $ 18.8510 |
| 30+ | $1.7236 | $ 51.7080 |
| 100+ | $1.5568 | $ 155.6800 |
| 500+ | $1.4821 | $ 741.0500 |
| 1000+ | $1.4503 | $ 1450.3000 |
| 2000+ | $1.4343 | $ 2868.6000 |
| 4000+ | $1.4236 | $ 5694.4000 |
